خدمات الانترنت
ساعات الخدمة : من الاثنين إلى السبت 9 : 00-18 : 00
الرجاء اختيار خدمة العملاء على الانترنت :
الرجاء اختيار خدمة العملاء على الانترنت :
+86-755-82564498
CYD09S72V18-200BBXI
رقم الجزء :
CYD09S72V18-200BBXI
تصنيف المنتجات :
ذاكرة
الصانع :
Infineon Technologies
وصف
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA
تغليف
Tray
التعبئة
الكمية
1600
بنفايات الدولة :
NO
حالة القطعة
Obsolete
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 85°C (TA)
نوع التثبيت
Surface Mount
ديجي كي القابلة للبرمجة
Not Verified
نوع الذاكرة
Volatile
واجهة الذاكرة
Parallel
وقت دورة الكتابة - كلمة، صفحة
-
تردد الساعة
200 MHz
المورد الجهاز الحزمة
256-FBGA (17x17)
الحزمة / العلبة
256-LBGA
تنسيق الذاكرة
SRAM
حجم الذاكرة
9Mbit
تكنولوجيا
SRAM - Dual Port, Synchronous
الجهد - التغذية
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
وقت الوصول
3.3 ns
تنظيم الذاكرة
128K x 72
أحدث المنتجات
MM74C89N
IC RAM 64BIT PARALLEL 16DIP
onsemi
MM74C910N
IC RAM 256BIT PARALLEL 18DIP
onsemi
NMC27C64N200
IC EPROM 64KBIT PARALLEL 28DIP
onsemi
74F189PC
IC RAM 64BIT PARALLEL 16DIP
onsemi
74F219PC
IC RAM 64BIT PARALLEL 16DIP
onsemi
NMC27C64Q150
IC EPROM 64KBIT PARALLEL 28CDIP
onsemi
93LC56/P
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DIP
Microchip Technology
93LC56/SN
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC
Microchip Technology
خدمات الانترنت
ساعات الخدمة : من الاثنين إلى السبت 9 : 00-18 : 00
الرجاء اختيار خدمة العملاء على الانترنت :
الرجاء اختيار خدمة العملاء على الانترنت :
سكايتشيب تكنولوجيا المحدودة
عنوانمقاطعة قوانغدونغ ، مقاطعة الرقمين ، شنتشن هوا تشيانغ شمال شارع بنك الاتصالات القرن بلازا
Copyright@2025 All Rights Reserved
الدعم الفني: تكنولوجيا العنقودية